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aln烧结
火热的氮化铝（AlN ）陶瓷基板制备工艺简介 艾邦半导体网
2022年6月17日 AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和自蔓延烧结。 其中热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。合作快讯 在推动科技进步与产业升级的浪潮中，海信日立与瑞萨电行业动态
氮化铝（AlN）陶瓷常见的烧结方法概述材料
2021年5月27日 要制备高热导率的AlN陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：是要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶格中。 常见的烧结 2021年8月10日 AlN 基板是高铁轨道交通、新能源汽车IGBT 模块的关键承载体,可有效为模块提供绝缘能力和整体散热流动。 随着5G时代的到来, 低损耗、 高导热的AlN陶瓷基板 氮化铝粉末制备方法及研究进展
氮化铝陶瓷的制备及研究进展 hanspub
2021年7月28日 烧结过程是陶瓷制备过程中的关键,直接影响陶瓷产品的显微结构如晶粒尺寸与分布、气孔率等参数进而影响陶瓷产品的使用性能。 在AlN陶瓷制备中常用的烧结技 2021年11月25日 AlN烧结助剂一般是碱金属氧化物和碱土金属氧化物，烧结助剂主要有两方面的作用：一方面形成低熔点物相，实现液相烧结，降低烧结温度，促进坯体致密化； 氮化铝基板烧结：助剂、工艺及气氛三大关键因素 艾邦
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氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述粉末
2021年5月27日 制备好的坯体需要经过高温烧结，才能获得高致密度和优良性能的AlN陶瓷，从而在各个领域得到广泛应用。 AlN作为高熔点的强共价键化合物，原子自扩散系数 2021年4月20日 主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势。AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
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2016年3月9日 AlN 陶瓷是一种新型的高导热材料, 其基本性能参数如表1 为所示。 AlN陶瓷理论导热率高达320 W m 1 K 1 ( 是Al2O3 的5 ~ 8 倍), 实际使用的AlN 陶瓷热导率为180 2022年4月20日 性能优异而被用作芯片基板和封装材料。主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶 瓷性能影响方面综述了AlN陶 瓷的研究进展,并 指出了AlN陶瓷在制备及应用过程AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
AlN陶瓷烧结技术研究进展【维普期刊官网】 中文期刊服务平台
本文主要论述了氮化铝陶瓷制备过程中各种烧结参数,包括烧结助剂、烧结气氛、保温时间、常压烧结、热压烧结、微波烧结和等离子烧结等对氮化铝陶瓷性能的影响。 并指出可通 2022年1月14日 应该指出，烧结助剂及其显微结构会强烈影响AlN陶瓷的热导率。 为此，在烧结过程中，有以下几个希望： ①烧结终了时，烧结助剂所形成的第二相存在于AlN陶瓷中要少； ②尽量减少陶瓷晶界面第二相数量，以净化晶界，有利于AlN晶粒间的相互接 浅谈氮化铝陶瓷烧结和显微结构
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烧结助剂添加方式对AlN陶瓷力学性能的影响【维普期刊官网
摘要 通过直接添加与原位生成两种方式引入Y2O3作为烧结助剂,热压烧结制备了AlN陶瓷;研究了添加方式及添加量对AlN陶瓷显微结构和力学性能的影响。2006年12月1日 摘要 研究了Y2O3 和Dy2O3 两种添加剂对AlN 陶瓷烧结和力学行为的影响。 实验结果表明，在AlN陶瓷中加入稀土可以降低烧结温度，改善力学性能。Y2O3和Dy2O3对氮化铝陶瓷显微组织和机械性能的影响
AlN陶瓷的低温烧结与组织结构优化 百度学术
AlN陶瓷的低温烧结与组织结构优化 随着微电子技术的不断发展,电力电子系统高集成度导致功率密度的提高,器件工作时产生的热量增加,Al2O3等传统的陶瓷基板已经难以满足电子封装工业对基板越来越高的热耗散性能的要求由于具有优良的导热,介电及力学性能,AlN 2021年1月19日 高导热氮化铝基板性能如此出众，你了解它的烧结工艺吗 [导读] 随着电子技术的迅猛发展，集成电路的散热性问题逐渐得到重视。 高纯AlN单晶的热导率最高可达到319W/ (mK)。 其具有高热导率、高温绝缘性和优良介电性能、良好耐腐蚀性、与半导体Si相 高导热氮化铝基板性能如此出众，你了解它的烧结工艺吗要闻
粒度分布和烧结助剂对AlN陶瓷无压烧结及性能的影响研究docx
2023年12月2日 粒度分布是影响AlN陶瓷无压烧结及性能的关键因素之一。 一般来说， 颗粒越细，比表面积越大，烧结活性越高，有利于烧结过程的进行。 但过细的颗粒可能会引起团聚现象，影响烧结体的均匀性。 反之，过 粗的颗粒则可能导致烧结不充分，影响材料的致 AlN以其优异的高热导率,与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界的广泛关注,被誉为新一代高密度封装的首选基板材料本文详细综述了AlN陶瓷的导热机理和无压烧结工艺等方面的研究进展,并介绍了烧结助剂的选取原则和AlN陶瓷热导率与温度的关系,以及展望了AlN基板的 无压烧结高导热AlN陶瓷的研究进展 百度学术
高压烧结AlN陶瓷的残余应力研究
2018年1月25日 研究表明,微区拉曼光谱是一种测量AlN高压烧结体残余应力的有效方法;在50 GPa/1 700 ℃/75 min条件下高压制备的AlN陶瓷存在着14 GPa的残余压应力,且残余应力会随着烧结时间的延长而增大;高压烧结AlN陶瓷产生残余应力的主要原因是AlN晶格产生畸变,这种畸变是长时间 2022年4月20日 片基板和封装材料性能的要求越来越高。AlN陶 瓷因其高热导率、高 强度、线膨胀系数与硅接近、介 电常数小、耐 高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶 瓷性能影响方面综述了AlN陶 瓷的研究进展,并 指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展 AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
AlN陶瓷高温热压烧结工艺及其性能的研究 百度学术
AlN陶瓷高温热压烧结工艺及其性能的研究 AlN (氮化铝)陶瓷具有各种优异的性能,尤其是高热导率和低介电性能,使其在电子基板封装材料,耐热材料等多个领域都有广泛的应用市场上多用常压烧结工艺来制备AlN陶瓷,但是该烧结工艺制备出的AlN陶瓷性能不佳,若想 氮化铝粉末制备方法及研究进展 张智睿 , 秦明礼 , , 吴昊阳 , , 刘昶 , 贾宝瑞 , 曲选辉 北京科技大学新材料技术研究院，北京 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（）；河北省省级科技计划资助项目（D）氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB
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AlNDBC烧结前处理与工艺优化 百度学术
AlNDBC烧结前处理与工艺优化 ZHAN Jun ， 詹俊 ， XU Haixian ， 许海仙 ， ZHANG Zhenwen ， 张振文 ， CUI Song ， 崔嵩 电力电子装备的功率密度不断增大,传统的散热基板已满足不了热耗散性的要求,AlN陶瓷具有热导率高,线膨胀系数与Si接近,电性能优良,机械性 摘要 摘要: 分析烧结助剂在低温烧结制备高热导率AlN陶瓷过程中的作用和机理;综述AlN低温烧结助剂的研究实践;介绍烧结助剂的选择原则和几种不同烧结助剂体系对AlN陶瓷材料的烧结致密度与热导率的影响低温烧结氮化铝陶瓷烧结助剂的研究进展
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AlN陶瓷基板材料的典型性能及其制备技术
2008年4月28日 摘要:AlN陶瓷是一种新型的基板材料,具有优异的电性能和热性能,被誉为新一代高密度封装的理想基板材料。介绍AlN 陶瓷的典型性能和导热机理;讨论AlN 粉末的5 种合成方法:铝粉直接氮化法、Al2O3碳热还原法、化学气相沉积法、溶胶− 凝胶法、自蔓延高温合成法和等离子化学合成法;分析AlN 烧结助剂的 2011年2月1日 摘要 分别以Y2O3、Sm2O3和Dy2O3为烧结助剂，在1700℃的较低烧结温度下通过放电等离子烧结制备致密氮化铝陶瓷。 研究了三种烧结添加剂对AlN陶瓷的相组成、微观结构和导热系数的影响。放电等离子烧结氮化铝陶瓷的显微组织和热导率 XMOL
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HTCCAlN陶瓷基板高温烧结设备与烧结工艺曲线上海陶瓷展
2024年4月12日 HTCCAlN陶瓷基板高温烧结设备与烧结工艺曲线 针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能微波组件的需求，阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性。 基于此，开发了高温烧结设备，进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验，分析了烧结温度及时间、 2020年12月1日 In this paper, the research progress in the forming and preparation of AlN ceramics was overviewed The advantages and disadvantages of molding pressing, tape casting, injection molding, gel (PDF) Research Progress in Shaping Technology of AlN
氮化铝陶瓷的制备及研究进展 汉斯出版社
烧结过程是陶瓷制备过程中的关键，直接影响陶瓷产品的显微结构如晶粒尺寸与分布、气孔率等参数进而影响陶瓷产品的使用性能。 在AlN陶瓷制备中常用的烧结技术有无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。2022年1月14日 应该指出，烧结助剂及其显微结构会强烈影响AlN陶瓷的热导率。 为此，在烧结过程中，有以下几个希望： ①烧结终了时，烧结助剂所形成的第二相存在于AlN陶瓷中要少； ②尽量减少陶瓷晶界面第二相数量，以净化晶界，有利于AlN晶粒间的相互接 浅谈氮化铝陶瓷烧结和显微结构
烧结助剂添加方式对AlN陶瓷力学性能的影响【维普期刊官网
摘要 通过直接添加与原位生成两种方式引入Y2O3作为烧结助剂,热压烧结制备了AlN陶瓷;研究了添加方式及添加量对AlN陶瓷显微结构和力学性能的影响。2006年12月1日 摘要 研究了Y2O3 和Dy2O3 两种添加剂对AlN 陶瓷烧结和力学行为的影响。 实验结果表明，在AlN陶瓷中加入稀土可以降低烧结温度，改善力学性能。Y2O3和Dy2O3对氮化铝陶瓷显微组织和机械性能的影响
AlN陶瓷的低温烧结与组织结构优化 百度学术
AlN陶瓷的低温烧结与组织结构优化 随着微电子技术的不断发展,电力电子系统高集成度导致功率密度的提高,器件工作时产生的热量增加,Al2O3等传统的陶瓷基板已经难以满足电子封装工业对基板越来越高的热耗散性能的要求由于具有优良的导热,介电及力学性能,AlN 2021年1月19日 1、添加烧结助剂 对于陶瓷致密烧结，添加助烧剂无疑是最为经济、有效的方法。AlN陶瓷可选用的烧结助剂有CaO、Li2O、B2O3、Y2O3、CaF2、CaC2以及CeO2等。这些材料在烧结过程发挥着双重作用，首先与表面的Al2O3结合生成液相铝酸盐，在粘性流动作用下，加速传质，晶粒周围被液相填充，原有的粉料相互 高导热氮化铝基板性能如此出众，你了解它的烧结工艺吗要闻
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粒度分布和烧结助剂对AlN陶瓷无压烧结及性能的影响研究docx
2023年12月2日 粒度分布是影响AlN陶瓷无压烧结及性能的关键因素之一。 一般来说， 颗粒越细，比表面积越大，烧结活性越高，有利于烧结过程的进行。 但过细的颗粒可能会引起团聚现象，影响烧结体的均匀性。 反之，过 粗的颗粒则可能导致烧结不充分，影响材料的致 AlN以其优异的高热导率,与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界的广泛关注,被誉为新一代高密度封装的首选基板材料本文详细综述了AlN陶瓷的导热机理和无压烧结工艺等方面的研究进展,并介绍了烧结助剂的选取原则和AlN陶瓷热导率与温度的关系,以及展望了AlN基板的 无压烧结高导热AlN陶瓷的研究进展 百度学术
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高压烧结AlN陶瓷的残余应力研究
2018年1月25日 摘要 利用六面顶技术,在50 GPa/1 700 ℃/75～125 min条件下高压烧结制备了无烧结助剂的AlN陶瓷块体材料。利用微区拉曼光谱对其残余应力进行了测量,研究了烧结时间对其残余应力的影响,并探讨了残余应力产生的原因及消除的方法。研究表明,微区拉曼光谱是一种测量AlN高压烧结体残余应力的有效方法;在